商品名稱:NCP51200MNTXG
品牌:ON
年份:21+
封裝:QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:20000 件
NCP51200 是一個(gè)源/匯雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR)終端穩(wěn)壓器專門設(shè)計(jì)用于低輸入電壓和空間是關(guān)鍵考慮因素的低噪聲系統(tǒng)。
NCP51200 保持快速瞬態(tài)響應(yīng),只需要20的最小輸出電容MF。該器件支持一個(gè)DDR V TT總線的遙感功能和所有電源要求終止。也可用于低功耗芯片組和需要?jiǎng)討B(tài)可調(diào)的圖形處理器內(nèi)核輸出電壓。
NCP51200 可用于熱效率 DFN10裸露焊盤(pán)封裝,并被評(píng)為綠色和無(wú)鉛。
特征
?用于汽車應(yīng)用
?輸入電壓軌:支持 2.5 V、3.3 V 和 5 V 軌
? PV CC電壓范圍:1.1 至 3.5 V
?集成功率 MOSFET
?快速負(fù)載-瞬態(tài)響應(yīng)
? P GOOD - 用于監(jiān)控 V TT調(diào)節(jié)的邏輯輸出引腳
? EN - 關(guān)斷模式的邏輯輸入引腳
? V RI - 參考輸入允許靈活的輸入跟蹤直接或通過(guò)電阻分壓器
?遙感 (V TTS )
?內(nèi)置軟啟動(dòng)、欠壓鎖定和過(guò)流限制
?熱關(guān)斷
?小型、薄型 10 引腳、3x3 DFN 封裝
? NCV51200MWTXG - 用于增強(qiáng)光學(xué)的可潤(rùn)濕側(cè)面選項(xiàng)檢查
?用于汽車和其他需要的應(yīng)用的 NCV 前綴獨(dú)特的場(chǎng)地和控制變更要求;AEC-Q100合格且具備 PPAP 能力*
?這些器件不含鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
? DDR 內(nèi)存終端
?臺(tái)式電腦、筆記本電腦和工作站
?服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
?電信/數(shù)據(jù)通信、GSM 基站
?圖形處理器核心電源
?機(jī)頂盒、LCD-TV/PDP-TV、復(fù)印機(jī)/打印機(jī)
?芯片組/RAM 電源低至 0.5 V
?有源總線終端
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
24-VFQFN
1000
Automotive, AEC-Q100 轉(zhuǎn)換器,數(shù)字式相機(jī) 穩(wěn)壓器 IC 4 輸出 24-VQFN(4x4)
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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