PSMNR90-50SLHAX 50V MOSFET采用LFPAK88封裝，提供410A持續(xù)電流。此器件采用Nexperia獨(dú)特的“SchottkyPlus”技術(shù)，提供通常與配備集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET相關(guān)的高效率和低尖峰性能，但不會(huì)產(chǎn)生會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題的高漏電流。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：50 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：410A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.9 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：383 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：25001 pF @ 25 V

FET 功能：肖特基二極管（隔離式）

功率耗散（最大值）：375W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK88（SOT1235）

封裝/外殼：SOT-1235

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