BUK9Y8R5-80EX 邏輯電平N溝道MOSFET采用LFPAK56（Power SO8）封裝，采用TrenchMOS技術(shù)。本產(chǎn)品的設(shè)計(jì)符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適用于高性能汽車應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：100A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：54.7 nC @ 5 V

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8167 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：238W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56，Power-SO8

封裝/外殼：SC-100，SOT-669

基本產(chǎn)品編號：BUK9Y8

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