BSM600C12P3G201 SiC功率模塊是在一個(gè)封裝中集成了SiC SBD和SiC MOSFET的半橋SiC模塊。這類模塊能在減少開關(guān)損耗的同時(shí)高頻運(yùn)行。與現(xiàn)有解決方案相比，此優(yōu)化設(shè)計(jì)減少了雜散電感。另外，為了防止發(fā)生過(guò)熱情況，還提供了集成其他熱敏電阻的E型模塊。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：600A（Tc）

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 182mA

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：28000 pF @ 10 V

功率耗散（最大值）：2460W（Tc）

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

供應(yīng)商器件封裝：模塊

封裝/外殼：模塊

應(yīng)用

● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)

● 轉(zhuǎn)換器

● 光伏、風(fēng)力發(fā)電。

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