商品名稱:FFSH4065ADN-F155
數據手冊:FFSH4065ADN-F155.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
FFSH4065ADN-F155 安森美 (onsemi) 650V碳化硅 (SiC) 肖特基二極管與硅器件相比,具有出色的開關性能和更高的可靠性。這些碳化硅肖特基二極管無反向恢復電流,并具有溫度獨立的開關特性及出色的熱性能。該器件可實現如下系統(tǒng)優(yōu)勢:提高系統(tǒng)效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI、減小系統(tǒng)尺寸并降低成本。
產品屬性
二極管配置:1 對共陰極
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):22A(DC)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.75 V @ 20 A
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
反向恢復時間 (trr):0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:200 μA @ 650 V
工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商器件封裝:TO-247-3
應用
● 通用
● SMPS、太陽能逆變器、UPS
● 電源開關電路
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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