商品名稱:IMBG65R039M1HXTMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R039M1HXTMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過(guò)最大限度發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,從而增強(qiáng)了器件性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強(qiáng)可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低開(kāi)關(guān)損耗
換向穩(wěn)健型快速體二極管
先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來(lái)出色的柵極氧化物可靠性
采用 .XT 互連技術(shù),實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能
雪崩能力更強(qiáng)
SMD 封裝,可直接集成至 PCB
用于優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的感測(cè)引腳
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動(dòng)汽車(chē)充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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