MT44K16M36RB-107E:B RLDRAM 3是一款高速存儲設備，專為實現超高速數據傳輸速率而設計。該器件密度為576Mb，其延時僅為8ns。Micron RLDRAM還具有非常高的速度，在系統(tǒng)頻為400Mhz時速率800Mbps，在533Mhz時甚至達1067Mbps，可提供28.8Gbps的吞吐量，采用了36bit接口。

規(guī)格：

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術：DRAM

存儲容量：576Mb

存儲器組織：16M x 36

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：933 MHz

寫周期時間 - 字，頁：-

訪問時間：8 ns

電壓 - 供電：1.28V ~ 1.42V

工作溫度：0°C ~ 95°C（TC）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：168-TBGA

供應商器件封裝：168-BGA（13.5x13.5）

基本產品編號：MT44K16M36

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