LMG342xR030 GaN FET 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可讓設(shè)計(jì)人員在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。

LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150 V/ns 的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān) SOA。這種集成特性與 TI 的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_關(guān)和超小的振鈴?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在 20 V/ns 至 150 V/ns 之間，這可用于主動(dòng)控制 EMI 并優(yōu)化開關(guān)性能。 LMG3425R030 包含理想二極管模式，該模式通過啟用自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制功能來降低第三象限損耗。

高級(jí)電源管理功能包括數(shù)字溫度報(bào)告和故障檢測(cè)。GaN FET 的溫度通過可變占空比 PWM 輸出進(jìn)行報(bào)告，這可簡化器件加載管理。報(bào)告的故障包括過熱、過流和 UVLO 監(jiān)控。

特性

? 符合面向硬開關(guān)拓?fù)涞?JEDEC JEP180 標(biāo)準(zhǔn)

? 帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的 600-V GaN-on-Si FET

集成高精度柵極偏置電壓

200V/ns CMTI

2.2MHz 開關(guān)頻率

30 V/ns 至 150 V/ns 壓擺率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解 EMI

在 7.5V 至 18V 電源下工作

? 強(qiáng)大的保護(hù)

響應(yīng)時(shí)間少于 100 ns 的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)

硬開關(guān)時(shí)可承受 720V 浪涌

針對(duì)內(nèi)部過熱和 UVLO 監(jiān)控的自我保護(hù)

? 高級(jí)電源管理

數(shù)字溫度 PWM 輸出

理想二極管模式可減少 LMG3425R030 中的第三象限損耗

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。