RGTV80TK65DGVC11 650V場終止溝槽型IGBT采用小型封裝，具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓。具有高速開關(guān)、低開關(guān)損耗和2μs短路耐受時間等特性。 650V場終止溝槽型IGBT非常適合用于太陽能逆變器、UPS、焊接、IH和PFC應用。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：39 A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160 A

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A

功率 - 最大值：85 W

開關(guān)能量：1.02mJ（開），710μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：81 nC

25°C 時 Td（開/關(guān)）值：39ns/113ns

測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：101 ns

工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3PFM，SC-93-3

供應商器件封裝：TO-3PFM

應用

● 太陽能逆變器

● UPS

● 焊接

● IH

● 功率因數(shù)校正

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