描述：IPB120P04P4-04 P溝道汽車用功率MOSFET，采用OptiMOS-P2和Gen5技術(shù)。該MOSFET符合AEC標準，支持175°C工作溫度。該器件采用D2PAK封裝。

規(guī)格

產(chǎn)品種類 ：MOSFET

封裝 / 箱體 ：D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性 ：P-Channel

通道數(shù)量 ：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓 ：40 V

Id-連續(xù)漏極電流 ：120 A

Rds On-漏源導通電阻 ：3.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓 ：- 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓 ：2 V

Qg-柵極電荷 ：158 nC

最小工作溫度 ：- 55°C

最大工作溫度 ：+ 175°C

Pd-功率耗散 ：136 W

通道模式 ：增強型

資格 ：AEC-Q101

系列 ：OptiMOS-P2

配置 ：單個

下降時間 ：52 ns

高度 ：4.4 mm

長度 ：10 mm

上升時間 ：20 ns

典型關(guān)閉延遲時間 ：49 ns

典型接通延遲時間 ：30 ns

寬度 ：9.25 mm

單位重量 ：4 g

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