C3D08060A 600 V 分立碳化硅 (SiC) 肖特基二極管采用 MPS（合并 PiN 肖特基）設(shè)計，比標(biāo)準肖特基勢壘二極管更堅固可靠。
特點
正向電壓 (Vf) 隨溫度下降較低
零反向恢復(fù)電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān)操作
穩(wěn)健的 MPS 技術(shù)
高反向電壓阻斷能力
優(yōu)勢
降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率
實現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
提高系統(tǒng)級功率密度
減小系統(tǒng)尺寸、重量和冷卻要求
應(yīng)用
工業(yè)電源
服務(wù)器/電信
電動汽車充電系統(tǒng)
儲能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed（紐交所代碼：NYSE）在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件，涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…
C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容快速本征二極管，低反向恢復(fù) (Qrr)無鹵素，符合…
C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗，最大限度地減少柵極振鈴…
E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝，具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻高速開關(guān)，低電容本征二極管速度快，反向恢復(fù) (Qrr) 低無鹵素，符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101)，符合 PPAP 要求E…
HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用，如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性：漏源電壓（Vdss）：1200V25C 時電流 -…電話咨詢：86-755-83294757
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