SCT4062KWAHRTL是一款1200 V、24 A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關(guān)速度。該器件符合AEC-Q101汽車標準。

SCT4062KWAHRTL的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：81 毫歐 @ 12A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 6.45mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+21V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1498 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：93W

工作溫度：175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7LA

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