NVBG095N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V、70mΩ（典型值）、30A單N溝道MOSFET，采用緊湊、高效的設計 實現(xiàn)高的熱性能。該MOSFET采用了全新的技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。

特性

高結(jié)溫(Tj = 175°C)

開爾文源配置

超低柵極電荷(QG(tot) = 50 nC)

低輸出電容(Coss = 89 pF)

二極管的零反向恢復電流

RDS(on)= 70mΩ（典型值）

額定650V

100% UIL測試

無鉛、無鹵素/無BFR，符合RoHS標準

濕度敏感度1級保證

內(nèi)部柵極電阻：7.6 Ω

應用

車載充電器

用于EV/HEV的汽車DC/DC轉(zhuǎn)換器

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。