C3M0065100K是基于第三代技術(shù)的1000 V, 65 mΩ, 35 A碳化硅功率MOSFET，采用增強(qiáng)型四引腳TO-247-4封裝，設(shè)有Kelvin柵極連接。 該Kelvin源設(shè)計顯著降低了開關(guān)損耗和柵極振鈴。 該款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻、低輸出電容和低源極電感，優(yōu)化用于電動汽車充電系統(tǒng)和三相工業(yè)電源。

C3M0065100K的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC

漏源電壓（Vdss）：1000 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 20A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 5mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：35 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+19V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：660 pF @ 600 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：113.5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4L

封裝/外殼：TO-247-4

基本產(chǎn)品編號：C3M0065100

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