IGLT65R110D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分，它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)了具有卓越效率的高可靠性設(shè)計。它采用頂部冷卻 TOLT 封裝，專為各種工業(yè)應(yīng)用中的最佳功率耗散而設(shè)計。

特性（IGLT65R110D2）

650 V 電子模式功率晶體管

超快開關(guān)

無反向恢復(fù)電荷

可反向傳導(dǎo)

低柵極電荷、低輸出電荷

卓越的換向堅(jiān)固性

低動態(tài) RDS(on)

高 ESD 魯棒性：2 kV HBM - 1 kV CDM

頂部冷卻封裝

通過 JEDEC 認(rèn)證（JESD47、JESD22）

優(yōu)勢（IGLT65R110D2）

支持高工作頻率

實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率

實(shí)現(xiàn)超高功率密度設(shè)計

支持節(jié)省 BOM 成本

規(guī)格（IGLT65R110D2）

產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-HDSOP-16

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 15 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 140 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 3.4 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

應(yīng)用（IGLT65R110D2）

用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換

數(shù)據(jù)中心和計算解決方案

電動汽車充電

工業(yè)電源

光伏

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。