NTH4L032N065M3S是一款EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S平面SiC MOSFET。該650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。

產(chǎn)品屬性：

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：44 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：55 nC

封裝 / 箱體：TO-247-4

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：187 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：onsemi

配置：Single

下降時間：9 ns

封裝：Tube

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：12 ns

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