IQE057N10NM6CGSC 是 100V N 溝道 OptiMOS? 6 MOSFET 晶體管。

IQE057N10NM6CGSC 的規(guī)格

晶體管極性：N 溝道

通道數(shù)：1 通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：100 V

Id - 持續(xù)漏極電流：98 A

Rds On - 漏極-源極電阻：5.7 mOhms

Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3.3 V

Qg - 柵極電荷：26 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度：+ 175 C

Pd - 功率耗散：125 W

通道模式：增強(qiáng)

下降時(shí)間：4.6 ns

產(chǎn)品類型：MOSFET

上升時(shí)間：1.9 ns

典型關(guān)斷延遲時(shí)間：12 ns

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：5.6 ns

IQE057N10NM6CGSC 的特性

N 溝道、正常電平

極低導(dǎo)通電阻 Rps(on)

出色的柵極電荷 X Ros（導(dǎo)通）乘積（FOM）

極低的反向恢復(fù)電荷 (Qr)

雪崩能量等級高

175°C 工作溫度

針對高頻開關(guān)和同步整流進(jìn)行了優(yōu)化

無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

符合 J-STD-020 的 MSL 1 級標(biāo)準(zhǔn)

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