SCT4036KEC11是低導(dǎo)通電阻、N溝道SiC功率MOSFET晶體管，封裝為TO-247-3。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 43A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 47 毫歐 @ 21A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 11.1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 91 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +21V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 2335 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 176W  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 ：TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： SCT4036

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