TW060N120C,S1F N通道 1200V 36A 第三代碳化硅MOSFET器件

1、應(yīng)用：

? 開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器

2、特性：

(1)第三代(內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管)芯片設(shè)計

(2)二極管正向電壓低:VDSF = -1.35 V(類型)

(3)高電壓:VDSS = 1200v

(4)漏源導(dǎo)通電阻低:RDS(ON) = 60 mΩ(類型)

(5)閾值電壓高，不易發(fā)生故障:Vth = 3.0 ~ 5.0 V (VDS = 10 V,ID = 4.2 mA)

(6)增強模式。

3、產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 18A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 4.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1530 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：170W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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