商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TSON-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGB070S10S1 是一款 100 V 常閉增強型功率晶體管，采用小型 PQFN 3x3 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設計。由于其低導通電阻，它是在要求苛刻的高電壓和大電流應用中實現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
特征：
?增強模式功率晶體管-常閉開關
?無反向充電
?反向導通能力
?低柵極電荷，低輸出電荷
?符合 JEDEC 目標應用程序要求
應用：
?D 類音頻
?電信 AC/DC 同步整流器
?電信 DC/DC 同步整流器
?電池供電工具
?電動汽車，無人機
?機器人
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅動標準MOSFET、超結MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側柵極驅動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側和低壓側柵極驅動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關，采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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