TPS53626RSMR器件是一款無驅(qū)動、符合 VR13 SVID 標(biāo)準(zhǔn)的同步降壓控制器。D-CAP+ 架構(gòu)等先進的控制功能具有重疊脈沖，支持減少欠沖（USR）和減少過沖（OSR），可提供快速瞬態(tài)響應(yīng)、最低輸出電容和高效率。該器件還支持在 CCM 或 DCM 中單相運行，以提高輕負載效率。該器件集成了全套 VR13 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允許在 00h 至 07h 之間進行編程。VOUT 壓擺率的可調(diào)控制編程可高達 20mV/uS。

與 TI NexFET 功率級搭配使用，該整體解決方案可提供極高的速度和極低的開關(guān)損耗。TPS53626RSMR 還提供四種默認模式，可使用單個外部電阻器配置 VCCIO 和 VMCP 設(shè)置，從而節(jié)省元件數(shù)量和電路板空間。

TPS53626RSMR器件采用節(jié)省空間的熱增強型 32 引腳 VQFN 封裝，工作溫度范圍為 -40°C 至 105°C。

TPS53626RSMR的特性

符合 Intel VR13 串行 VID (SVID) 標(biāo)準(zhǔn)

單相或雙相操作

VR13 VCCIO 和 VMCP 的默認配置模式

支持降壓和非降壓應(yīng)用

8 位 DAC，5 毫伏步進

輸出范圍： 0.25 V 至 1.52 V

優(yōu)化輕負載和重負載時的效率

8 個獨立的過沖降低 (OSR) 和欠沖降低 (USR) 級別

用于高效高頻開關(guān)的無驅(qū)動器配置

支持分立、功率塊、功率級或 DrMOS MOSFET 實現(xiàn)

精確、可調(diào)的電壓定位

300 kHz 至 1-MHz 頻率選擇

獲得專利的自動平衡相位

用于負載瞬態(tài)提升的可編程導(dǎo)通脈沖擴展

可編程自動 DCM 和 CCM 操作

可選 8 級電流限制

4.5 V 至 28 V 轉(zhuǎn)換電壓范圍

小型、4 mm × 4 mm、32 引腳、VQFN PowerPad 封裝

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