NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝，設計緊湊高效，具有高散熱性能。通過AEC-Q101認證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級可靠性的汽車應用。

基本參數(shù)

Vds-漏源極擊穿電壓：60 V

Id-連續(xù)漏極電流：198 A

Rds On-漏源導通電阻：1.49 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：2 V

Qg-柵極電荷：92.2 nC

最小工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：113 W

封裝：TCPAK57

特征

? 小尺寸 （5x7 mm），設計緊湊

? 低 RDS（on） 可最大限度地降低導通損耗

? 低 QG 和電容，可最大限度地減少驅(qū)動器損耗

? TCPAK57 Top Cool 套餐

? 符合 AEC-Q101 標準并支持 PPAP

? 這些器件不含鉛，符合 RoHS 規(guī)范

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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