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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IMT65R050M2H

商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-HSOF-8

貨期:全新原裝

庫(kù)存數(shù)量:2000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IMT65R050M2H
封裝
PG-HSOF-8
描述
CoolSiC? 650 V G2 碳化硅 MOSFET 晶體管

產(chǎn)品描述

IMT65R050M2H是一款CoolSiC? 650V G2碳化硅MOSFET,采用TOLL封裝,導(dǎo)通電阻為50mΩ??。該產(chǎn)品是新一代碳化硅MOSFET,旨在利用高性能技術(shù),克服傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制,并優(yōu)化.xt互聯(lián)以降低熱阻抗。


IMT65R050M2H具有出色的性能指標(biāo)(FOMs)、高可靠性和靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍,且與所有8x8 FETs引腳兼容,改進(jìn)了封裝互聯(lián),適用于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景?。


技術(shù)規(guī)格

封裝 / 箱體:HSOF-8

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:48.1 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:62 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

Qg-柵極電荷:22 nC

工作溫度:- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散:237 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:4.4 ns

產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS

上升時(shí)間:7.6 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.5 ns

典型接通延遲時(shí)間:8.1 ns


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型號(hào)

品牌

封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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TO-247-4

3000

1200V、60mΩ、CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管、TO-247-4

G2R1000MT33J

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NTBL023N065M3S

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TO-263-7

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MSC040SMA120SD

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MSC035SMA070SC

Microchip

D3PAK-3

2000

700 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

IXSH80N120L2KHV

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TO-247-4L

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IXSH40N120L2KHV

IXYS

TO-247-4L

2000

1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管

常見問題

  • 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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