IMT65R015M2H是一款CoolSiC? MOSFET，屬于第二代產(chǎn)品，適用于650V的電壓等級，具有15m?的導通電阻（RDS(on)）。? IMT65R015M2H采用PG-HSOF-8封裝，具有優(yōu)異的性能指標和設(shè)計特性，適用于各種電力電子應(yīng)用場景。

IMT65R015M2H 技術(shù)規(guī)格

封裝 / 箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：131 A

Rds On-漏源導通電阻：18 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V to 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.5 V

Qg-柵極電荷：148 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：535 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：6.4 ns

上升時間：14.7 ns

系列：650V G2

工廠包裝數(shù)量：2000

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns

典型接通延遲時間：11.6 ns

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