F6101NTGK 是一款 8 通道接收器硅集成電路，采用 SiGe BiCMOS 工藝設(shè)計，適用于 Ku 波段 SATCOM 相控陣應用。核心集成電路具有 6 位相位控制功能，每個通道的增益控制超過 30dB，可實現(xiàn)精細波束轉(zhuǎn)向和通道間增益補償。該器件具有 15. 5dB 標稱電增益和 -23dBm IP1dB。核心芯片在工作頻率范圍內(nèi)的有效相位誤差為 2.5°，有效增益誤差為 0.25dB。典型總功耗為 0.34W（每個通道 43mW）。

F6102NTGK 的特性

10GHz 至 14GHz 工作頻率

8 個輻射通道

6 位相位控制

20ns 典型增益設(shè)置時間

20ns 典型相位設(shè)置時間

2.5° 典型有效值相位誤差

0.25dB 典型有效值增益誤差

30dB 增益衰減范圍

5 位集成電路地址

帶外部偏壓的集成式比例-絕對溫度 (PTAT) 傳感器

-40°C 至 +95°C 內(nèi)部溫度傳感器

可編程 4 態(tài)片上存儲器

電源電壓 +2.1V 至 +2.5V

-40°C 至 +95°C 環(huán)境工作溫度范圍

27°C 典型環(huán)境工作溫度

5mm x 5mm，40-QFN 封裝

F6102NTGK 的競爭優(yōu)勢

高集成度

相位和振幅控制的正交性 

先進的串行外設(shè)接口 (SPI)，帶 4 態(tài)存儲器

出色的通道間隔離

占用空間最小

F6102NTGK 的應用

Ku 波段衛(wèi)星通信

航空航天和海事

氣象雷達

波束轉(zhuǎn)向

測試與測量

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