IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關SiC MOSFET，具有低損耗、快速切換的特性，適用于高速度工業(yè)開關模式電源供應。

主要特性

低導通損耗?：IXSA80N120L2-7的導通損耗非常低，具體為30m?。

低柵極驅動功率要求?：柵極驅動電壓范圍為-3/+15到18V。

低熱管理需求?：該MOSFET的熱管理需求低，適合在各種工業(yè)應用中使用。

快速切換?：具有高速切換特性，適用于需要快速響應的應用場景。

高阻斷電壓?：能夠承受1200V的高電壓。

低輸入電容?：輸入電容Ciss為3000pF，有助于減少開關損耗。

高結溫?：最大虛擬結溫為175°C，適合在高溫環(huán)境下使用。

IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET適用于以下領域：

太陽能逆變器?

開關模式電源供應?

不間斷電源（UPS）?

電機驅動?

DC/DC轉換器?

電動汽車充電基礎設施?

感應加熱

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