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產(chǎn)品分類

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商品型號:IPL65R165CFD

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-VSON-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:7500

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPL65R165CFD
封裝
PG-VSON-4
描述
表面貼裝型 N 通道 650 V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4

產(chǎn)品描述

IPL65R165CFD是 650V CoolMOS? CFD2 系列功率晶體管,采用超級結(jié)(Superjunction)技術(shù)設(shè)計,具有快速開關(guān)和低損耗特性。該產(chǎn)品適用于高壓功率應(yīng)用,提供出色的能效和可靠性。


IPL65R165CFD 產(chǎn)品特性

高電壓設(shè)計:支持 650V 漏源極電壓(Vds)。

低導(dǎo)通電阻:最大導(dǎo)通電阻為 165mΩ(@10V, 9.3A)。

快速開關(guān):具備快速開關(guān)能力,降低開關(guān)損耗。

內(nèi)置快速體二極管:提供低反向恢復(fù)電荷(Qrr),減少開關(guān)過程中的損耗。

低封裝尺寸:采用 PG-VSON-4 封裝,尺寸為 8.1x8.1mm,適合空間受限的應(yīng)用。

高功率密度:支持高達(dá) 195W 的耗散功率。

寬工作溫度范圍:工作溫度范圍為 -40°C 至 +150°C。


IPL65R165CFD 產(chǎn)品優(yōu)勢

低損耗設(shè)計:由于低導(dǎo)通電阻和快速體二極管,顯著降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。

高可靠性:具備出色的抗電磁干擾(EMI)性能和高耐壓能力。

易于設(shè)計:簡化電路設(shè)計,適合多種高壓應(yīng)用場景。

高性價比:相比傳統(tǒng) 600V CFD 技術(shù),提供更低的損耗和更高的能效。


IPL65R165CFD 潛在應(yīng)用

650VCoolMOS?CFD2 特別適用于諧振開關(guān)級,如 PCSilverbox、LCDTV、照明、服務(wù)器和電信。

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常見問題

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