商品名稱：SRAM 存儲器
品牌：INFINEON
年份：25+
封裝：PG-TSOP-54
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
CY7C1061GN18-15ZSXI 是一款高性能 CMOS 靜態(tài) RAM，按 16 位組織為 1,048,576 字。
CY7C1061GN18-15ZSXI 的特點
高速
tAA = 10 ns/15 ns
低功耗
100 MHz 時 ICC = 90 mA
低 CMOS 待機電流
ISB2 = 20 mA（典型值）
工作電壓為 2.2 V 至 3.6 V
1.0 V 數(shù)據(jù)保持
取消選擇時自動關(guān)機
TTL 兼容輸入和輸出
利用 CE1 和 CE2 功能輕松擴展存儲器
采用無鉛 48 引腳 TSOP I、54 引腳 TSOP II 和 48 球 VFBGA 封裝
提供雙芯片使能選項
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標準MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢：86-755-83294757
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