NTBGS001N06C：功率MOSFET, 60 V, 1.1 mΩ, 342 A, Single N?Channel, D2PAK7介紹NTBGS001N06C是一款小尺寸、設計緊湊的MOSFET，具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導通損耗，低電容可最大限度降低驅動器損耗。NTBGS001N06C具有以下主要參數(shù)：FET 類型…
NTBGS001N06C：功率MOSFET, 60 V, 1.1 mΩ, 342 A, Single N?Channel, D2PAK7
介紹
NTBGS001N06C是一款小尺寸、設計緊湊的MOSFET，具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導通損耗，低電容可最大限度降低驅動器損耗。
NTBGS001N06C具有以下主要參數(shù)：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：42A（Ta），342A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.1 毫歐 @ 112A，12V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 562μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11110 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），245W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：TO-263（D2PAK）
這些參數(shù)使得NTBGS001N06C適用于需要高電流和高效率的電路設計，特別是在功率轉換和電機控制等應用中表現(xiàn)出色。
NTBGS001N06C具有以下主要特征：
? 低 RDS（on） 可最大限度地降低導通損耗
? 低 QG 和電容，可最大限度地減少驅動器損耗
? 降低開關噪聲/EMI
? 無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑 （BFR），并且符合 RoHS 規(guī)范
應用場景
NTBGS001N06C適用于需要高電流和高耐壓的應用場景，包括：
? 電動工具、電池供電的吸塵器
? 無人機/無人機、物料搬運
? BMS/存儲、家庭自動化
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