BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和Si驅(qū)動器集成于ROHM自有封裝，與以往的分立解決方案相比，由PCB布線和引線鍵合引起的寄生電感大大降低，可實現(xiàn)高達150V/ns的開關(guān)速度。另外，其柵極驅(qū)動強度可調(diào)節(jié)，這非常有助于降低EMI。該產(chǎn)品還內(nèi)置各種保護功能和其他附加功能，可優(yōu)化成本和PCB尺寸。該IC的設(shè)計旨在通用于現(xiàn)有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率開關(guān)。

特點： 

Nano Cap? 集成輸出可選 5V LDO

長期支持工業(yè)應(yīng)用的產(chǎn)品

VDD 引腳電壓工作范圍寬

IN 引腳電壓工作范圍寬

低 VDD 靜態(tài)和工作電流

低傳播延遲

高 dv/dt 抗擾度

可調(diào)柵極驅(qū)動強度

電源良好信號輸出

VDD UVLO 保護

熱關(guān)斷保護

應(yīng)用：

? 工業(yè)設(shè)備、高功率密度、高效率要求或橋式拓撲的電源，如圖騰柱 PFC、LLC 電源、適配器等。

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